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围绕电源设计与器件应用的技术文章，涵盖电路拓扑选择、EMI 与热设计、可靠性验证等常见工程问题，记录实际调试中的经验与思路。
开关电源 MOS 管高速通断产生陡峭 di/dt、dv/dt，催生大量高频噪声，引发传导与辐射电磁干扰。EMI 超标不仅干扰板载芯片，还难以通过 EMC 认证。EMI 整改最优思路遵循：源头抑制→路径阻隔→末端滤波，在原理图、磁性器件、PCB 布局阶段同步规划，避免样机完成后大规模返工。
